Infineon IRG4PF50WPBF

900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
$ 11.75
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4PF50WPBF01Bulk
9h
Farnell
2
IRG4PF50W01
20h
Component Stockers USAIRG4PF50WPBF33 902
>1wk
Win Source
2
WS-IRG4PF50W6 4771
21h
Worldway Electronics
2
IRG4PF50W15 4927
19h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRG4PF50WPBF.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 22 ans
Datasheet9 pagesIl y a 22 ans
Datasheet9 pagesIl y a 28 ans

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

Pièces détachées

LittelfuseIXYH24N90C3D1
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
Détails
MicrochipAPT35GA90B
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
onsemiFGH30T65UPDT-F155
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube
Détails
LittelfuseIXXH30N65B4
IXXH Series GenX4 650 V 65 A Flange Mount IGBT - TO-247AD
Détails
MicrochipAPT27GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Détails
MicrochipAPT35GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRG4PF50WPBF fournies par ses distributeurs.

900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.25 V Current release time: 150 ns Power dissipation: 200 W
Distrelec
IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur
Farnell
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:TO-247AC; Power Dissipation, Pd:200W; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:51A; Mounting Type:Through Hole; Voltage Rating:900V ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WPbF; Fall Time Max:220ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:26ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V
element14 APAC

Images

Infineon
DKO Electronshik
Augswan
element14 APAC
TME
TodayComponents
Distrelec
iiiC
Rochester Electronics
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
UTSource
UTSource
element14
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRG4PF50WPBF
  • IRG4PF50W
  • SP001533582