Infineon IRFZ44ZSPBF
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Pièces de rechange
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Stock
721,441
201,819
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
1.42 nF
1.42 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRFZ44VZSPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFZ48NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 14 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB60NF06T4
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB55NF06T4
N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFZ44ZSPBF fournies par ses distributeurs.
HEXFET® Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mΩ , ID = 51A ) | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 80 W
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 55V, 51A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):13.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:51A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.87°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:13.9mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:80W; Power Dissipation Pd:80W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.9 mΩ
Recovery Time35 ns
Resistance13.9 mΩ
Rise Time68 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité