Infineon IRFZ44NSPBF

Name: Infineon IRFZ44NSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFZ44NSPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 17.5 Milliohms; ID 49A; D2Pak; PD 94W; VGS +/-20

$ 1.36

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFZ44NSPBF	0	850	Bulk				1,360	1,360	11h
Farnell	IRFZ44NSPBF	0	1		1,632*	1,632*	1,136*	0,952*	0,952*	19h
Win Source	WS-462425	32 430	70				0,728	0,485	0,485	19h
Worldway Electronics	IRFZ44NSPBF	11 731	7	Tube		0,108	0,105	0,099	0,099	18h
Fly-Wing Technology	IRFZ44NSPBF	55 104			0,766	0,628	0,609	0,569	0,569	16h

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Pièces de rechange

0 composant disponible

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 22 ans

Datasheet11 pagesIl y a 22 ans

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-02-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFZ46ZSPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 10.9 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 82W;VGS +/-20

Détails

onsemiFDB13AN06A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 13.5mΩ

Détails

InfineonIRF4905STRLPBF

Single P-Channel 55 V 0.02 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Détails

InfineonIRLZ44ZSPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 80W;VGS +/-16V

Détails

onsemiHUF75332S3ST

Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Détails

onsemiHUFA75332S3S

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFZ44NSPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:49A; On Resistance, Rds(on):17.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 49A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:49A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:160A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SP001560684

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)49 A

Current Rating49 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance17.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time45 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.47 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation94 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance17.5 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max17.5 mΩ

Recovery Time95 ns

Rise Time60 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time44 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 22 ans

Datasheet11 pagesIl y a 22 ans

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans