Infineon IRFU13N20DPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFU13N20DPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):235mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance235 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance830 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance235 mΩ
Package Quantity3000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max235 mΩ
Resistance235 MΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.7056 mm
Width2.3876 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead, Lead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité