Infineon IRFSL4115PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Pièces détachées
InfineonAUIRF2804L
Automotive 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I2PAK (TO-262) package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL4410ZPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 97A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Con
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
onsemiFDI045N10A-F102
N-Channel 100 V 4.5 mOhm Through Hole POWERTRENCH MOSFET - I2PAK (TO-262)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFSL4115PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 150V 195A TO262 N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:99A; On Resistance, Rds(on):10.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:4-TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance12.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.1 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max12.1 mΩ
Resistance12.1 MΩ
Rise Time73 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité