Infineon IRFS7434TRL7PP
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Fiche technique officielleIl y a 7 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRFS8407-7P
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPB180N04S4H0ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 180 A, 1.1 mOhm, TO-263 (D2PAK), 7 Pins, Surface Mount
InfineonIRFS7430TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS7434TRL7PP fournies par ses distributeurs.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
Trans MOSFET N-CH 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.25 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation245 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation245 W
Rds On Max1 mΩ
Rise Time125 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time107 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height5.084 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité