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Infineon IRFS52N15DTRLP

Infineon N-Channel MOSFET HEXFET Series, Vds=150V, 51A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
$ 1.339
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFS52N15DTRLP.

element14 APAC

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans

Newark

iiiC

Jameco (USA)

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 1.339
$ 2.18
$ 2.18
Stock
313,875
232,376
232,376
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
51 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
32 mΩ
32 mΩ
32 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
30 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
2.77 nF
2.77 nF
2.77 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Mexico, USA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
N CH SMPS MOSFET, HEXFET, 150V, 23A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
onsemiFDB2552
onsemi N-Ch PowerTrench MOSFET Vds=150V Id=37A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFS52N15DTRLP fournies par ses distributeurs.

Infineon N-Channel MOSFET HEXFET Series, Vds=150V, 51A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
Single N-Channel 150V 32 mOhm 89 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
IRFS52N15DTRLP,MOSFET, 150V, 6 0A, 32 MOHM, 60 NC QG, D2-PAK
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:60A; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:30V; Power Dissipation, Pd:320W
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001578238