Infineon IRFS4310TRLPBF
$ 3.445
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Pièces de rechange
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 3.445
$ 2.55
Stock
248,604
244,038
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7 mΩ
7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
7.67 nF
7.67 nF
Pièces détachées
InfineonIRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4310TRLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Single N-Channel 100 V 7 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 100V, 130A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFS4310TRLPBF
Infineon NChannelMOSTube, Vds=100 V, 130 A, TO-220encapsulation, A printed circuit board
100V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 130A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0056; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time78 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.67 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation300 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité