Infineon IRFR4615PBF

Name: Infineon IRFR4615PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR4615PBF

Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED

$ 2.05

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR4615PBF	0	5	Bulk		2,330	2,050	2,050	2,050	9h
Farnell	IRFR4615PBF	0	5			1,669*	1,207*	0,817*	0,799*	20h
Win Source	WS-IRFR4615PBF	808 320	135					0,304	0,292	20h
Worldway Electronics	IRFR4615PBF	15 830	7	Tube		0,508	0,498	0,479	0,470	20h
Fly-Wing Technology	IRFR4615PBF	216 835			0,739	0,606	0,587	0,549	0,549	1d

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Pièces de rechange

1 composant disponible

Fiches techniques et documents

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element14 APAC

Datasheet11 pagesIl y a 13 ans

Datasheet11 pagesIl y a 16 ans

IHS

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant

Pièces de rechange

InfineonIRFR4615PBF

InfineonIRFR4615TRLPBF

Price @ 1000

$ 2.05

$ 0.682

Stock

1,085,995

1,716,338

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Continuous Drain Current (ID)

33 A

Threshold Voltage

5 V

Rds On Max

42 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

144 W

Input Capacitance

1.75 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-12-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR4615TRLPBF

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti

Détails

InfineonAUIRFR4615

Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS

Détails

onsemiFDD2572

N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

Détails

onsemiFDD2572-F085

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

Détails

VishaySQD25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Détails

InfineonIRFR24N15DPBF

Single N-Channel 150 V 95 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR4615PBF fournies par ses distributeurs.

Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED

Infineon

Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK Bulk/Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N-CH 150V 33A DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:144W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:33A; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:144W; Power Dissipation Pd:144W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V

element14 APAC

Images

Infineon

Distrelec

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Distrelec

iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFR4615PBF.
SP001578144

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1 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)33 A

Drain to Source Breakdown Voltage150 V

Drain to Source Resistance42 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)150 V

Dual Supply Voltage150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.75 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation144 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance42 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation144 W

Rds On Max42 mΩ

Resistance42 MΩ

Rise Time35 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time25 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.7056 mm

Width6.22 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet11 pagesIl y a 13 ans

Datasheet11 pagesIl y a 16 ans

IHS

iiiC

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans