Infineon IRFL4315TRPBF

Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
$ 0.354
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRFL4315TRPBF7355Cut Tape
Arrow Electronics
4
IRFL4315TRPBF6251
Future Electronics
2
IRFL4315TRPBF119 0002500Tape & Reel
DigiKey
3
IRFL4315TRPBFCT-ND2 5171Cut Tape
AvnetIRFL4315TRPBF02500
2d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFL4315TRPBF.

Newark

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFL4315PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 185 Milliohms;ID 2.6A;SOT-223;PD 2.8W;-55de
Détails
onsemiFQT13N06TF
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 2.8 A, 140 mΩ, SOT-223
Détails
onsemiFDT86244
FDT86244 Series 150 V 128 mOhm N.Ch. SMT PowerTrench Mosfet - SOT-223-3
Détails
STMicroelectronicsSTN3P6F6
STN3P6F6 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Détails
onsemiNDT014L
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.8A, 160mΩ
Détails
VishayIRLL014PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin (3+Tab) SOT-223
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFL4315TRPBF fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Win Source
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 150V, 2.6A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.185ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; P
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 185 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 19 / Rise Time ns = 21 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 8.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2.8
Distrelec

Images

Infineon
Newark
Farnell
RS APAC
TME
Farnell
Future Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001556696