Infineon IRFHM8235TRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Pièces détachées
InfineonIRFHM8228TRPBF
Single N-Channel 25 V 5.2 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
InfineonIRFHM8334TRPBF
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
InfineonIRFHM8330TRPBF
Single N-Channel 30 V 6.6 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFHM8235TRPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 25 V 13.4 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 25V,A, 7.4mOhm, 7.3nC, PQFN3.3x3.3 single
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin QFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 4.1C/W); Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; MultiPhase ControlFET; Point of Load ControlFET
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance7.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time5.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.04 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3 W
Rds On Max7.7 mΩ
Resistance6.2 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time7.5 ns
Turn-On Delay Time7.9 ns
Dimensions
Height800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité