Infineon IRFH7110TRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH5110TRPBF
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH7107TRPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH7110TRPBF fournies par ses distributeurs.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6 package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
MOSFET N CH 100V, 11A, PQFN 5X6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0106ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length5.85 mm
Width5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité