Infineon IRFH5106TRPBF
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH5106TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 12h | |||||||
| Farnell | IRFH5106TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Component Stockers USA | IRFH5106TRPBF | 15 354 | 6d | |||||||||
| Win Source | WS-IRFH5106TRPBF | 9 620 | 14 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH5106TRPBF | 15 697 | 7 | Tape & Reel | 21h |
Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS3306TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIRFH5206TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5206TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN / N-Channel 60 V 16A (Ta), 89A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH5106TRPBF fournies par ses distributeurs.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 114 W
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
On-State Resistance5.6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation114 W
Rds On Max5.6 mΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time8.1 ns
Dimensions
Height838.2 µm
Length5.9944 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité