Infineon IRFH5015TRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH5215TRPBF
Single N-Channel 150 V 58 mOhm 21 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH5020TRPBF
Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH5004TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH5015TRPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 31 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:3.6W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance31 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max31 mΩ
Rise Time9.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height900 µm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité