Infineon IRFF220
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Stock
22,733
385
Authorized Distributors
3
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
3.5 A
3.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
20 W
20 W
Input Capacitance
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFF220 fournies par ses distributeurs.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39
SEMICONDUCTOR TRANSISTOR-MOSFET N-CHANNE
N Channel Mosfet, 200V, 3.5A, To-205Af
to 39 hexfet HIREL 200V, 3.5A, 0.80 ohm
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
MOSFET, N, TO-39; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.4 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Lead Length14.22 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité