Infineon IRF9530NSPBF
$ 2.14
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9530NSPBF | 0 | 750 | Bulk | 4h | |||||||
| Farnell | IRF9530NSPBF | 0 | 5 | 11h | ||||||||
| Sensible Micro | IRF9530NSPBF | 50 | 7d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF9530NSPBF | 26 830 | 140 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF9530NSPBF | 10 268 | 7 | Tube | 11h |
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRF9530NSPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRL530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRL530NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF9530NSPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;-55
Single P-Channel 100 V 0.2 Ohm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 79 W
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:-14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:79W; Power Dissipation Pd:79W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:56A; SMD Marking:IRF9530NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating-14 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max200 mΩ
Recovery Time190 ns
Resistance200 mΩ
Rise Time58 ns
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité