Infineon IRF7807APBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7807APBF fournies par ses distributeurs.
IRF7807APBF N-channel MOSFET Transistor, 8.3 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8.3A; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:66A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7807A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
On-State Resistance25 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time17 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité