Infineon IRF7480MTRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
InfineonIRL7486MTRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME package, MG-WDSON-8, RoHS
STMicroelectronicsSTL260N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7480MTRPBF fournies par ses distributeurs.
On a Reel of 4800, N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 6 + Tab-Pin ME Infineon IRF7480MTRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME package, MG-WDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.2 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)217 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.2 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation96 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height700 µm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité