Infineon IRF7450PBF

Single N-Channel 200 V 170 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7450PBF03800Bulk
9h
FarnellIRF7450PBF05
18h
Win SourceWS-IRF7450PBF25 58070
18h
Worldway ElectronicsIRF7450PBF18 1317Tube
18h
AztechIRF7450PBF271
14h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF7450PBF.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans
Datasheet8 pagesIl y a 21 ans

Newark

Future Electronics

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

InfineonIRF7465PBF
IRF7465PBF N-channel MOSFET Transistor,1.9 A, 150 V, 8-Pin SOIC
Détails
onsemiFDS2670
Single N-Channel 200 V 275 mOhm 43 nC 2.5 W PowerTrench SMT Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF7465TRPBF
Single N-Channel 150 V 0.28 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiHUF75831SK8T
3 A 150 V 0.095 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET MS-012AA
Détails
VishaySI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.8 A, 200 V, 8-PIN SOIC
Détails
VishaySI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 150 V, 8-PIN SOIC
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7450PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 200 V 170 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
Win Source
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Semicontronic
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):170mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:3W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.5A; Fall Time tf:17ns; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:20A; Rise Time:3ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon

Images

Infineon
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF7450 PBF
  • SP001559868