Infineon IRF7413ZPBF
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Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7413ZPBF | 60 | 4h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7413ZPBF | 0 | 3800 | Bulk | 21h | |||||||
| Farnell | IRF7413ZPBF | 0 | 5 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7413ZPBF | 15 950 | 130 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7413ZPBF | 17 253 | 7 | Tube | 4h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Pièces détachées
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7413ZPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:100A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7413ZPBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max10 mΩ
Recovery Time36 ns
Resistance10 MΩ
Rise Time6.3 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité