Infineon IRF7404QPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-11-05
LTD Date2015-05-05
Pièces détachées
InfineonIRF7404PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID -6.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
InfineonIRF7807TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7404QPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, P-CHANNEL, -20V, -6.7A, 40 MOHM, 33.3 NC QG, SO-8, Q101 QUALIFIED
-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a LeadFree SO-8 -package
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6.7A 8-Pin SOIC
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, P CH, 20V, 6.7A, 8SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:33.3nC; Current Id Max:-7.7A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:27A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:-12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage20 V
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs700 mV
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rise Time32 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité