Infineon IRF7342PBF
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Fiche technique officielleIl y a 2 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-03-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRF7342TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7342PBF fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET P Channel 55 Volt 3.4 Amp 8 Pin SOIC
Transistor: 2xP-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 0.105ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
HEXFET® Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105Ω) | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Dual P-Channel 55 V 0.105 Ohm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:690pF; Current Id Max:-3.4A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:27A; Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7342; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:-55V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Min:-1V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationDual
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance690 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Recovery Time80 ns
Resistance105 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité