Infineon IRF7241PBF

Name: Infineon IRF7241PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7241PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -40V; Rds(on) 25MILLIOHMS; Id -6.2A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-2

$ 0.76

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7241PBF	0	1	Bulk	0,870	0,760	0,760	0,760	0,760	1h
Win Source	WS-IRF7241PBF	91 970	27				1,682	1,447	1,447	11h
Worldway Electronics	IRF7241PBF	16 226	7	Tube		0,806	0,790	0,760	0,745	10h
Anlinkda	IRF7241PBF	58 772			0,102	0,092	0,083	0,080	0,079	10h
Fly-Wing Technology	IRF7241PBF	23 713			0,538	0,441	0,428	0,400	0,400	9h

Modèles CAO

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Pièces de rechange

0 composant disponible

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 21 ans

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2001-01-31

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF7241TRPBF

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -40V;RDS(ON) 25Milliohms;ID -6.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2

Détails

onsemiFDS8449

N-Channel 40 V 29 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Détails

onsemiFDS8449-F085

FDS8449 Series 40 V 7.6 A 29 mOhm N-Channel PowerTrench® Mosfet - SOIC-8

Détails

VishaySI4447ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC | Siliconix / Vishay SI4447ADY-T1-GE3

Détails

InfineonIRF7201PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d

Détails

onsemiFDS6630A

N-Channel PowerTrenchTM MOSFET, Logic Level, 30V, 6.5A 38mΩ

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7241PBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -40V;RDS(ON) 25Milliohms;ID -6.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 40 V 41 mOhm 80 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC Tube

Verical

-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-6.2A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:25A; SMD Marking:F7241; Termination Type:SMD; Voltage Vds:40V; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

International Rectifier

iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

7241PBF
IRF 7241PBF
SP001551208

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.2 A

Current Rating-6.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage-40 V

Drain to Source Resistance41 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V

Dual Supply Voltage-40 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time100 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.22 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-3 V

Number of Elements1

On-State Resistance41 mΩ

Package Quantity3800

PackagingBulk

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max41 mΩ

Recovery Time48 ns

Resistance41 MΩ

Rise Time280 ns

Threshold Voltage-3 V

Turn-Off Delay Time210 ns

Turn-On Delay Time24 ns

Voltage Rating (DC)-40 V

Dimensions

Height1.4986 mm

Length4.9784 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet10 pagesIl y a 21 ans

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans