Infineon IRF7104PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRF7104TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID -2.3A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
InfineonIRF7324D1TRPBF
-20V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE | Infineon IRF7324D1TRPBF
onsemiNTMSD3P102R2
2W 20V 1individualPChannel 20V 85mΩ 2.3A SOIC-8 SMD mount，glue mount 5mm*4mm*1.5mm
onsemiNTMSD2P102LR2
2W 10V 1individualPChannel 20V 90mΩ 2.3A SOIC-8 SMD mount，glue mount 5mm*4mm*1.5mm
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7104PBF fournies par ses distributeurs.
Dual P-Channel 20 V 0.25 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 2.3A 8-Pin SOIC Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SOIC; Trans; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-2.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:10A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7104PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Elements2
On-State Resistance250 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max250 mΩ
Recovery Time100 ns
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité