Infineon IRF6727MTR1PBF

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 3.05
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF6727MTR1PBF01KBulk
4h
Farnell
2
IRF6727MTR1PBF01Cut Tape
11h
Win SourceWS-IRF6727MTR1PBF2040
12h
Worldway ElectronicsIRF6727MTR1PBF9 7547Tape & Reel
13h
GreenTree ElectronicsIRF6727MTR1PBF100
9h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 17 ans

element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20

Pièces détachées

InfineonIRF6635TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Détails
InfineonIRF6729MTR1PBF
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonIRF6717MTR1PBF
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Détails
InfineonIRF6618TRPBF
Single N-Channel 30 V 3.4 mOhm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Détails
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Détails
InfineonIRF6716MTR1PBF
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF6727MTR1PBF fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.22 mOhm, ID 32A, DirectFET
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Verical
MOSFET, N, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:MX; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:32A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:260A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1.35V
element14 APAC
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MT package rated at 32 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
International Rectifier

Images

Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA