Infineon IRF6721STR1PBF
$ 1.75
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
InfineonIRF6621TR1PBF
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 6-Pin Direct-FET SQ T/R / MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF6721STR1PBF fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 5.1 mOhm, ID 14A, DirectFET
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 14 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
MOSFET, N-CH, 30V, DIRECTFETSQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:SQ; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:DirectFET; Current Id Max:14A; Package / Case:SQ; Power Dissipation Pd:2.2W; Pulse Current Idm:110A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max7.3 mΩ
Recovery Time26 ns
Rise Time8.9 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time9.3 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Dimensions
Height508 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité