Infineon IRF6629TR1PBF

Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
$ 3.01
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF6629TR1PBF01KBulk
10h
FarnellIRF6629TR1PBF01
8h
Win SourceWS-IRF6629TR1PBF4 00045
22h
Worldway ElectronicsIRF6629TR1PBF9 3057Tape & Reel
2d
ICPartonlineIRF6629TR1PBF5 766
>1wk

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 19 ans

DigiKey

Newark

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20

Pièces détachées

InfineonIRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Détails
InfineonIRF6725MTRPBF
Single N-Channel 30 V 2.2 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Détails
InfineonIRF6725MTR1PBF
MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.7 mOhm, ID 28A, DirectFET
Détails
InfineonIRF6729MTR1PBF
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Détails
InfineonIRF6611TR1
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF6629TR1PBF fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Avnet
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:23A; On Resistance, Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MX ;RoHS Compliant: Yes
Newark
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes optimized with low on resistance for applications such as active OR'ing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number
International Rectifier
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:1170mJ; Base Number:6629; Cont Current Id @ 70°C:23; Current Id Max:23A; Fall Time tf:7.4ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:230A; Rise Time:67ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Termination Type:SMD; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Newark
element14 APAC
TME
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF6629TR1 PBF