Infineon IRF3708SPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Pièces détachées
InfineonIRL3103STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTB70NF03LT4
N-Channel 30V - 0.008Ohm - 70A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRL3103SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3708SPBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET SMPS POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,30V,62A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:87W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:62A; Power Dissipation Pd:87W; Voltage Vgs Max:12V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Current Rating62 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.417 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation87 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation87 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 MΩ
Rise Time50 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time17.6 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité