Infineon IRF3315STRLPBF
$ 2.13
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3315STRLPBF | 0 | 10 | Bulk | 1d | |||||||
| Farnell | IRF3315STRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRF3315S | 281 | 600 | Tube | 2h | |||||||
| Win Source | WS-IRF3315S | 6 578 | 60 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3315S | 18 763 | 7 | Tube | 8h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Pièces détachées
InfineonIRF6215STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF6215STRRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3315STRLPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 0.082 Ohm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:21A; On Resistance, Rds(on):82mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance82 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation94 W
Rds On Max82 mΩ
Resistance82 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité