Infineon IRF2907ZSTRLPBF
$ 2.01
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRF2907ZSTRLPBF | 6 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | IRF2907ZSTRLPBF | 15 137 | 3h | |||||||||
| DigiKey | IRF2907ZSTRLPBFCT-ND | 8 966 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF2907ZSTRLPBF | 0 | 3200 | Bulk | 19h | |||||||
| Future Electronics | IRF2907ZSTRLPBF | 0 | 800 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Pièces détachées
InfineonIRFS3207TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 75V, 170A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
International RectifierAUIRFS3207ZTRL
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
STMicroelectronicsSTB160N75F3
N-channel 75 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF2907ZSTRLPBF fournies par ses distributeurs.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-20
IRF2907 Series 75V 160A 300W 4.5mOhm Single N-Channel MOSFET D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 170 A, 0.0045 ohm, TO-263AB, Surface Mount
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 170A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 170A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 300W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time97 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité