Infineon IRF1405STRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 4.6MILLIOHMS; Id 131A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-2
$ 1.175
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF1405STRLPBF105 600800
1d
Newark
3
IRF1405STRLPBF3 7641Cut Tape
Arrow Electronics
4
IRF1405STRLPBF4 8001
Future Electronics
2
IRF1405STRLPBF17 600800Tape & Reel
RutronikTMOSP11712800800
6h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF2805STRLPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
InfineonIRF1405SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.6Milliohms;ID 131A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
Détails
InfineonIRF2805SPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
STMicroelectronicsSTB100NF04T4
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF1405STRLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.6Milliohms;ID 131A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Win Source
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
IRF1405STRLPBF,MOSFET, 55V, 13 1A, 5.3 MOHM, 170 NC QG, D2-P
Jameco
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:131A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF1405STRLPBF.
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 131 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 190 / Turn-OFF Delay Time ns = 130 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200
Distrelec

Images

Infineon
RS (Formerly Allied Electronics)
Newark
TME
element14 APAC
RS
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • 1405STRLPBF
  • IRF1405STRLPBF.
  • SP001571200