Infineon IRF1010ESTRLPBF

Single N-Channel 60 V 12 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 1.914
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF1010ESTRLPBF104 475
12h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF1010ESTRLPBF0800Bulk
4h
Farnell
2
IRF1010ESTRLPBF01Cut Tape
1d
Verical
3
IRF1010ESTRLPBF5 600325
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF1010ESTRLPBF5571Tape & Reel
15h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF1010ESTRLPBF.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-11-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Pièces détachées

InfineonIRF1010NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF1010NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Détails
onsemiNTB75N06G
Power MOSFET 60V 75A 9.5 mOhm Single N-Channel D2PAK
Détails
onsemiNTB5412NT4G
Power MOSFET 60V 60A 14 mOhm Single N-Channel D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB60NF06LT4
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF1010ESTRLPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 60 V 12 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET, N-CH, 60V, 84A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 84A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.012ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 84 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 12 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 53 / Rise Time ns = 78 / Turn-OFF Delay Time ns = 48 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 170
Distrelec

Images

Infineon
Augswan
element14 APAC
TME
Future Electronics
Distrelec
Rochester Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF1010ES
  • SP001553824