Infineon IR2213SPBF

1200 V high-side and low-side gate driver IC with enable and shutdown, SOIC 16W, RoHS
$ 3.32
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Fiches techniques et documents

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SHENGYU ELECTRONICS

Datasheet18 pagesIl y a 10 ans

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.01
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

InfineonAUIRS2110S
AUIRS2110 Series Dual Channel 20 V 2.5 A High/Low Side Driver - SOIC-16W
MicrochipMIC4424YWM
MIC4424 Series 18 V 3 A Surface Mount Dual Low-Side MOSFET Driver - SOIC-16W
MicrochipMIC4425YWM
Driver 3A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube / IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 16-SOIC
MicrochipMIC4423ZWM
Driver 3A 2-OUT Low Side Inv 16-Pin SOIC W Tube / IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 16-SOIC
MicrochipMIC4424CWM TR
RoHS Compliant Surface Mount Contains Lead Independent IC Gate Driver 18V 3A 70C 35ns
MicrochipMIC4423BWM TR
IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 16-SOIC

Descriptions

Descriptions de Infineon IR2213SPBF fournies par ses distributeurs.

1200 V high-side and low-side gate driver IC with enable and shutdown, SOIC 16W, RoHS
Infineon SCT
IR2213 Series 20 V 2 A Surface Mount High and Low Side Driver - SOIC-16
Tube IR2213SPBF Half-Bridge 1996 gate driver 25ns 125C 2A 2.5A 1W
25ns 2 12V 280ns 20V 6V,9.5V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N 17ns 2A,2.5A SOIC-16 2.35mm
MOSFET DRVR 1.2KV 2.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE, 2213; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side / Low Side; Peak Output Current:2.5A; Input Delay:280ns; Output Delay:225ns; Supply Voltage Range:12V to 20V; Driver Case Style:SOIC; No. of Pins:16; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:2213; IC Generic Number:2213; Logic Function Number:2213; No. of Outputs:2; Offset Voltage:1200V; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-40°C; Output Current:2A; Output Current + Max:2000mA; Output Sink Current Min:2000mA; Output Source Current Min:1700mA; Output Voltage:1220V; Output Voltage Max:20V; Output Voltage Min:10V; Package / Case:SOIC; Packaging Type:Peel Pack; Power Dissipation Pd:1.25W; Supply Voltage Max:20V; Supply Voltage Min:12V; Termination Type:SMD; Voltage Vcc Max:25V; Voltage Vcc Min:10V
EiceDRIVER™ 1200 V high- and low-side gate driver IC with typical 2.0 A source and 2.5 A sink currents in DSO-16 lead, wide-body package for IGBT discretes and IGBT modules.IR2213S utilizes proprietary 1200 V HVIC and latch immune CMOS technologies which enable a rugged, monolithic construction with integrated protective features such under voltage lockout protection, shutdown, and separate logic and power ground.The IR2213S three-phase gate driver is well suited for low- and medium- power designs up to 10 kW or higher power levels with additional external buffer current driver. IR2213S provides high performance drive capability with protective features for a cost-competitive solution.IR2213S belongs to the 1200 V level-shift junction isolated (JI) gate driver family.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIR2213SPBF
  • SP001547314