Infineon IPZ60R017C7XKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPZ60R017C7XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:109A; On Resistance Rds(On):0.017Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
The 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ~50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.Efficiency and TCO (total cost of ownership) applications such as hyperdata centers and high efficiency telecom rectifiers (>96%) benefit from the higher efficiency offered by CoolMOS™ C7. Gains of 0.3% to 0.7% in PFC and 0.1% in LLC topologies can be achieved. In the case of a 2.5kW server PSU, for example, using 600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFETs in a TO-247 4pin package can result in energy cost reductions of ~10% for PSU energy loss.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)109 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation446 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height25.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité