Infineon IPW65R041CFDFKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
Pièces détachées
InfineonIPW65R048CFDAFKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
STMicroelectronicsSTW88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IPW65R041CFDFKSA1 fournies par ses distributeurs.
500KW 20V 4.5V 300nC@ 10V 1N 700V 41m¦¸@ 10V 68.5A 8.4nF@ 100V TO-247 25.57mm
Power Field-Effect Transistor, 68.5A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:700V; Continuous Drain Current Id:68.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:500W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R041CFDFKSA1.
650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts. | Summary of Features: 650V technology with integrated fast body diode; Limited voltage overshoot during hard commutation; Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology; Tighter R DS(ON) max to R DS(on) typ window; Easy to design-in; Lower price compared to 600V CFD technology | Benefits: Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode; Self limiting di/dt and dv/dt; Low Q oss; Reduced turn on and turn of delay times; Outstanding CoolMOS quality | Target Applications: Telecom; Server; Solar; HID lamp ballast; LED lighting; eMobility
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)68.5 A
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance41 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation500 W
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time127 ns
Turn-On Delay Time34 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité