Infineon IPW60R070CFD7XKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPW60R070CFD7XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 150Deg C, 156W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:31A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R070CFD7XKSA1
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.721 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance70 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation156 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height25.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité