Infineon IPU80R900P7AKMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPU80R900P7AKMA1 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin TO-251 Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Mosfet, N-Ch, 800V, 6A, To-251; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.77Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPU80R900P7AKMA1
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance900 mΩ
Package Quantity1500
Power Dissipation45 W
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.55 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité