Infineon IPT60R102G7XTMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPT60R102G7XTMA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS 600V CoolMOS G7 SJ, Vds=600 V, 23 A, HSOF-8, , 8
A new SMD package using Kelvin source concept, PG-HSOF-8, RoHS
Infineon SCT
Infineon MOSFET IPT60R102G7XTMA1
IPT60R102 - 600V COOLMOS N-CHANN
Mosfet, N-Ch, 600V, 23A, 141W, Hsof; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.088Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT60R102G7XTMA1
For the first time the CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance102 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance102 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation141 W
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité