Infineon IPT029N08N5ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Descriptions
Descriptions de Infineon IPT029N08N5ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Mosfet, N-Ch, 80V, 169A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT029N08N5ATMA1
168W(Tc) 20V 3.8V@ 108¦ÌA 87nC@ 10 V 1N 80V 2.9m¦¸@ 150A,10V 169A 6.5nF@40V HSOF-8
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8 / N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Power Transistor 80V OPTIMOS-5, PG-HSOF-8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 169A I(D), 80V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 169A, PG-HSOF;
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
IPT029N08N - OPTIMOS POWER MOSFE
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.9 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation167 W
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité