Infineon IPT026N10N5ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2019-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPT026N10N5ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Mosfet, N-Ch, 100V, 202A, 175Deg C, 214W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT026N10N5ATMA1
Infineon NMOS, Vds=100 V, 202 A, D2PAK £¨TO-263
Power Field-Effect Transistor, 202A I(D), 100V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
100V, 202A, 2.6mOhm, N-Channel, HSOF-8
Infineon’s OptiMOS™ 5 100V n-channel power MOSFET IPT026N10N5 in TO-Leadless (TOLL) package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as POL (point-of-load), forklift, light electric vehicles (LEV) and telecom power supply. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TOLL is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)202 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité