Infineon IPT019N08N5ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-05-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPT019N08N5ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 80V 247A 8-Pin HSOF T/R
IPT019 Series 80 V 32A 231W SMD Single N-Channel MOSFET HSOF-8
Mosfet, N-Ch, 80V, 247A, 175Deg C, 231W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF / N-Channel 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Power Field-Effect Transistor, 247A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
INFINEON MOSFET IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
NMOS, Vds=80 V, 247 A, PG-HSOF-8
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V n-channel power MOSFET IPT019N08N5 in TO-Leadless package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TO-Leadless (TOLL) is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)247 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation231 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation231 W
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité