Infineon IPP110N20N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 88 A, 11 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
$ 2.05
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
47W34786371
20h
NewarkIPP110N20N3GXKSA16371
Future Electronics
2
IPP110N20N3GXKSA14 35050Tube
RutronikTMOSP100661 65050
1h
Arrow ElectronicsIPP110N20N3GXKSA11 0151

Fiches techniques et documents

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IHS

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIPP120N20NFDAKSA1
Trans MOSFET N-CH 200V 84A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Détails
InfineonIPP075N15N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Détails
InfineonIPP200N25N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Through Hole
Détails
onsemiFDP083N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 / N-Channel 150 V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Détails
STMicroelectronicsSTP75NF20
N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Détails
onsemiFDP2614
FDP2614 Series 200 V 62 A 27 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPP110N20N3GXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 88 A, 11 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
EBV Elektronik
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Win Source
200V 88A 300W 11m´Î@10V88A 4V@270Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
88 A 200 V 0.011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Component Stockers USA
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.0099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:(Not Applicable); SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell
Infineon's 200 V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48 V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 88 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 11 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 11 / Rise Time ns = 26 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 300
Distrelec

Images

Augswan
element14 APAC
Newark
TME
iiiC
Distrelec
UTSource
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPP110N20N3 G
  • IPP110N20N3-G
  • IPP110N20N3G
  • SP000677892