Infineon IPL65R195C7AUMA1

N-Channel 650 V 12 A 75 W 195 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-VSON-4
$ 1.455
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPL65R195C7AUMA1.

IHS

Datasheet14 pagesIl y a 0 an

TME

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-36.07%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPL65R195C7AUMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTL22N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STMicroelectronicsSTD18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTL19N65M5
N-channel 650 V, 0.215 Ohm typ., 12.5 A MDmesh M5 power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK / N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Descriptions

Descriptions de Infineon IPL65R195C7AUMA1 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 650 V 12 A 75 W 195 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-VSON-4
Transistor MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS IPL60R, Vds=650 V, 12 A, ThinPAK 8 x 8, , 5
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
2Asfet, N-Ch, 650V, 12A, 75W, Vson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.173Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPL65R195C7AUMA1
IPL65R195C7 INFINEON ThinPAK8X
IPL65R195 - 12A, 650V, 0.195OHM,
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPL65R195C7
  • SP001032726