Infineon IPI60R099CPXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
$ 3.52
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30

Pièces détachées

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin TO-262 Tube
STMicroelectronicsSTFI40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 25 A, 125 mΩ, I2PAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IPI60R099CPXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Single N-Channel 650 V 99 mOhm 60 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-262-3, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:255W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPI60R099CP
  • SP000297356