Infineon IPD90N04S403ATMA1

Name: Infineon IPD90N04S403ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD90N04S403ATMA1

N-Channel 40 V 3.2 mOhm 66.8 nC OptiMOS®-T2 Power-Transistor - PG-TO252-3-313

$ 0.567

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD90N04S403ATMA1	1 058	5	Cut Tape		1,190	0,804	0,720	0,720
Arrow Electronics	2	IPD90N04S403ATMA1	4 945	1		0,499	0,491	0,466	0,456	0,455
Rutronik		TMOSP10502	7 500	2500						0,453	20h
Rochester Electronics		IPD90N04S403ATMA1	5 210					0,629	0,522	0,466	12h
DigiKey	3	IPD90N04S403ATMA1CT-ND	7 041	1	Cut Tape	1,950	1,243	0,836	0,605	0,605

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-04-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR7440TRPBF

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Détails

InfineonAUIRFR8403

Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS

Détails

InfineonAUIRFR8403TRL

Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS

Détails

onsemiFDD9409-F085

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40 V, 90 A, 3.2 mΩ

Détails

onsemiFDD8896

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),TO-252AA

Détails

onsemiFDD9407-F085

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 100A, 2.0mΩ

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD90N04S403ATMA1 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 40 V 3.2 mOhm 66.8 nC OptiMOS®-T2 Power-Transistor - PG-TO252-3-313

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet

40V, N-Ch, 3.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

OPTIMOS-T2 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0027Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1

Newark

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

Infineon

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IPD90N04S4-03
IPD90N04S4-03?
IPD90N04S403
SP000671630

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)90 A

Drain to Source Resistance3.2 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.26 nF

Max Dual Supply Voltage40 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation94 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation94 W

Rds On Max3.2 mΩ

Rise Time11 ns

Schedule B8541290080

Turn-On Delay Time14 ns

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

RatingsAEC-Q101

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A