Infineon IPD80R2K0P7ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPD80R2K0P7ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 800V, 3A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):1.7Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD80R2K0P7ATMA1
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation24 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.52 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité