Infineon IPD70R2K0CEAUMA1

Mosfet Devices; Infineon; IPD70R2K0CEAUMA1; 700 V; 4 A; 20 V; 42 W
$ 0.267
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPD70R2K0CEAUMA144 010
20h
Farnell
2
IPD70R2K0CEAUMA101Cut Tape
19h
Verical
6
IPD70R2K0CEAUMA12 5001126
Component Stockers USAIPD70R2K0CEAUMA115 868
>1wk
Win SourceWS-IPD70R2K0CEAUMA12 600140
20h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-08-15
LTD Date2023-02-15

Pièces détachées

InfineonIPD50R1K4CEAUMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Détails
InfineonIPD60R1K5CEATMA1
N-Channel 600 V 3.1 A 1500 mO 9.4 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Détails
InfineonIPD60R1K4C6ATMA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 9.4nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-252 2.56mm
Détails
VishaySIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK / N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD70R2K0CEAUMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET Devices; INFINEON; IPD70R2K0CEAUMA1; 700 V; 4 A; 20 V; 42 W
Maritex
Mosfet, N-Ch, 700V, 4A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(On):1.8Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD70R2K0CEAUMA1
Newark
CoolMOS CE is a technology platform of Infineons market leading high voltage power MOSFET designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. With the extended family, Infineon offers 600V, 650V and 700V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications. | Summary of Features: Thermal behavior; 90C on device, open case; 50C/70C close case temperature; EMI within EN55022B standard; Ease of use and fast design-in | Benefits: Low conduction losses from large margin between R DS(on) typical to nominal; Low switching losses from optimized output capacitance (E oss); Optimized EMI to balance switching speed and EMI behavior; Good controllability given the integrated R g | Target Applications: Low power chargers; Adapters; PC silverbox; LCD TV; LED retrofit; LED drivers
Infineon

Images

Farnell
TME
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD70R2K0CE
  • SP001466914