Infineon IPD65R190C7ATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
$ 1.18
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
54X5226731
2d
NewarkIPD65R190C7ATMA1731
Arrow Electronics
3
IPD65R190C7ATMA12 3131
Rochester ElectronicsIPD65R190C7ATMA11 046 490
19h
DigiKey
3
IPD65R190C7ATMA1CT-ND4 2151Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD65R190C7ATMA1.

Upverter

Datasheet15 pagesIl y a 0 an

IHS

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
Restocked
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD65R190C7ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD65R250E6XTMA1
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Détails
InfineonIPD65R225C7ATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
Détails
InfineonIPD65R250C6XTMA1
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTD12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD11NM65N
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD65R190C7ATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
Newark
MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Farnell
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Infineon

Images

TME
Farnell
Newark
element14 APAC
RS
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD65R190C7
  • SP000928648