Infineon IPD60R385CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / CoolMOS Power Transistor
$ 0.983
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIPD60R385CPATMA15 0002500
Future Electronics
2
IPD60R385CPATMA15 0002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsIPD60R385CPATMA11 427
13h
DigiKey
3
IPD60R385CPATMA1CT-ND29 9461Cut Tape
AvnetIPD60R385CPATMA102500
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD60R385CPATMA1.

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Datasheet11 pagesIl y a 11 ans

IHS

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD60R380C6ATMA1
83W(Tc) 20V 3.5V@ 320¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 3.8A,10V 10.6A 700pF@100V DPAK 2.56mm
Détails
InfineonIPD60R380P6ATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Détails
InfineonIPD60R460CEATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 9.1A 3-Pin TO-252 T/R
Détails
STMicroelectronicsSTD15N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60R385CPATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / CoolMOS Power Transistor
Win Source
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
Infineon
MOSFET, N, TO-252; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:650V; Current, Id Cont:9A; On State Resistance:0.385ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Typ Voltage Vgs th:3V; Case Style:TO-252; ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):385mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:27A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Augswan
Farnell
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Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60R385CP
  • SP000680638