Infineon IPD60R360P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 / N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
$ 0.585
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2017-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60R360P7ATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 / N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 600V, 9A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.305Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R360P7ATMA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60R360P7
  • SP001606048